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求人番号.101792 【筑波】化合物半導体 GaN加工製造および生産技術開発(リーダー...

  • 【筑波】化合物半導体GaN加工製造および生産技術開発(リーダー候補~リーダー)
  • 勤務地 茨城県牛久市
  • 年収 560~940万円

求人番号. 101792

【筑波】化合物半導体 GaN加工製造および生産技術開発(リーダー候補~リーダー)

  • 【筑波】化合物半導体GaN加工製造および生産技術開発(リーダー候補~リーダー)
  • 勤務地 茨城県牛久市
  • 年収 560~940万円

会社概要

国内最大手の石油化学メーカー
  • 職種

    設備技術
  • ポジション

    【筑波】化合物半導体GaN加工製造および生産技術開発(リーダー候補~リーダー)
  • 仕事内容

    化合物半導体の製造及び技術検討を担当いただきます。
    具体的には以下業務を担当いただきます。
     ・加工工程(結晶スライス・研磨)の生産性向上や新規技術の開発
     ・加工工程(結晶スライス・研磨)の生産計画作成や進捗管理等の生産管理
     ・加工設備(スライシング装置・研削研磨装置)の保全管理
  • 求める経験

    【必須要件】
    ・経験職種(年数)・経験内容:
    - 化合物半導体材料の成形加工(特にスライス工程)の技術開発経験者
    - 化合物半導体材料(GaN>>Si/サファイア/SiC他 脆性材料)の結晶スライス・研削・研磨加工技術検討または製造管理経験者
    ・経験補足:
    - 半導体材料の加工技術の専門知識を有する
    - 製造スタッフとして運転員の管理・指導ができえる

    【歓迎要件】
    ・専攻:物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学
    ・経験職種(年数)・経験内容:化合物半導体の評価技術、熱・流体・構造の計算機シミュレーション
    ・語学力:英語
  • 英語スキル

    日常会話レベル
  • 求める学歴

    大学
  • 想定年収

    560~940万円
  • 勤務地

    茨城県牛久市

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